WWW.DISS.SELUK.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА
(Авторефераты, диссертации, методички, учебные программы, монографии)

 


Разработка и исследование технологии получения изделий лейкосапфира для электронной техники

На правах рукописи

СТЕФАНОВИЧ Владимир Алексеевич

РАЗРАБОТКА И ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ ПОЛУЧЕНИЯ ИЗДЕЛИЙ ЛЕЙКОСАПФИРА ДЛЯ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ

Специальность 05.27.01 – Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро – и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени

кандидата технических наук

Таганрог-2009

Работа выполнена в Технологическом институте Южного федерального университета в г. Таганроге на кафедре «Конструирование электронных средств».

Научный руководитель: доктор технических наук, профессор

С.П. МАЛЮКОВ (ТТИ ЮФУ, г. Таганрог)

Научный консультант: кандидат физ.-мат. наук, профессор

В.С. КЛОПЧЕНКО (ТТИ ЮФУ, г. Таганрог)

Официальные оппоненты: доктор технических наук, профессор,

зав. каф. ХиЭ, А.Н. КОРОЛЕВ (ТТИ ЮФУ,

г. Таганрог)

Доктор физ.-мат. наук, профессор, исп. директор Курчатовского центра синхротронного излучения и нанотехнологий, В.В. КВАРДАКОВ

(РНЦ «Курчатовский институт», г. Москва)

Ведущая организация: Учреждение РАН Институт Кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН (г. Москва)

Защита состоится « 18 » июня 2009г. в 14 ч. 20 мин. на заседании диссертационного совета Д 212.208.23 в Технологическом институте Южного федерального университета в г. Таганроге по адресу: 347928, г. Таганрог, ул. Шевченко, 2, ауд. Е – 306.

С диссертацией можно ознакомиться в Зональной библиотеке Южного федерального университета.

Автореферат разослан « » мая 2009г.

Ученый секретарь

диссертационного совета

доктор технических наук, доцент Старченко И.Б.

3

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность диссертационной работы

Разработка технологии получения монокристаллов лейкосапфира и изделий из них во многом определяет успехи развития важнейших направлений квантовой электроники, микроэлектроники, атомной энергетики. Весьма широк диапазон потребительских свойств монокристаллического лейкосапфира: от генерации, усиления и преобразования электромагнитных колебаний до использования в качестве конструктивного материала. Такое широкое применение монокристаллов лейкосапфира связано с тем, что они обладают набором уникальных качеств: высокая оптическая однородность и прозрачность в широком диапазоне длин волн, радиационная стойкость, высокие механические, термические и диэлектрические свойства.

Разработка технологии получения монокристаллов лейкосапфира и изделий из них является актуальной задачей для микроэлектроники. Однако производство и решение научно – технических задач, связанных с получением и обработкой крупногабаритных кристаллов лейкосапфира до сих пор остается серьезной проблемой. Это связанно с высокой плотностью дислокаций, пористостью, и наличием значительных внутренних механических напряжений по всему объему кристалла.

В области исследования качества монокристаллов лейкосапфира недостаточно изученными остается ряд вопросов. Не до конца изучены теплофизические процессы при получении лейкосапфира, влияние технологических факторов на механизм образования пор в монокристаллах.

Таким образом, тема диссертационной работы, связанная с разработкой и исследованием технологии получения монокристаллов лейкосапфира для электронной техники, представляется современной и актуальной.

Цель и задачи диссертационной работы

Целью диссертационной работы являются разработка и исследование технологии получения изделий лейкосапфира для электронной техники. Для достижения реализации поставленной цели решались следующие задачи диссертационной работы:

  1. Исследование теплофизических процессов, протекающих при получении монокристаллов лейкосапфира методом горизонтальной направленной кристаллизации и процессов массопереноса.
  2. Изучение процессов

-релаксации пузырей в расплаве;

-размещения пор в кристалле лейкосапфира;

-влияние примесей исходного материала на процессы роста и качество монокристалла.

  1. Создание математической модели технологического процесса получения монокристаллов лейкосапфира методом ГНК.

4

  1. Расчет параметров технологического процесса и определение факторов, обуславливающих итоговое качество монокристаллов лейкосапфира.
  2. Разработка аппаратно-программного комплекса управления установкой для выращивания монокристаллов лейкосапфира методом ГНК.
  3. Разработка и исследование конструкции датчика давления с полупроводниковым чувствительным элементом на основе структуры «кремний на сапфире».
  4. Исследование возможности применения монокристаллов лейкосапфира, выращенных методом горизонтальной направленной кристаллизации в качестве защитных экранов, способных противостоять ударной волне с высокой кинетической энергией.

Научная новизна работы:

  1. Разработана модель процесса получения монокристалоов лейкосапфира по методу горизонтальной направленной кристалиизации.
  2. Установлено, что диссипация скрытой теплоты фазового превращения через объем растущего монокристалла является главным, определяющим рост фактором.
  3. Разработана методика расчета протяженности области расплава, образующегося между фронтом кристаллизации и нагревателем, при постоянной скорости протягивания контейнера. Наличие зазора существенно влияет на механизм массопереноса в жидкой фазе.
  4. Сформирована модель, на базе которой показано, что микропузырь в расплаве исходного радиуса г0 является существенно неустойчивым и под действием капиллярного давления быстро релаксирует к своему равновесному размеру. Определена скорость и время релаксации пузыря, а также время выхода (всплытия) пузырей во время релаксации на поверхность расплава под действием гидростатического давления.
  5. Установлено, что высокая стабильность закристаллизованных пор (r10-6м) при отжиге монокристаллов лейкосапфира объясняется изначальным термодинамическим равновесием внутренней поверхности поры с собственной парогазовой смесью.

Практическая значимость диссертационной работы заключается в следующем:





  1. Установлены факторы, влияющие на бездефектность крупногабаритных монокристаллов лейкосапфира, получаемых методом ГНК.
  2. Разработаны оптимальные технологические методики, обеспечивающие рост бездефектных крупногабаритных монокристаллов лейкосапфира методом ГНК.
  3. Разработан аппаратно-программный комплекс управления установкой (термической печью типа СЗВН) позволяющий с требуемой точностью задавать параметры роста кристалла и оперативно влиять на теплофизические процессы в момент роста монокристалла лейкосапфира.

5

  1. Разработан и исследован датчик давления, включающий полупроводниковый чувствительный элемент, выполненный по планарной микроэлектронной технологии, который может быть применен для измерения абсолютного, избыточного и разности давлений.
  2. Проведено исследование возможности применения монокристаллов лейкосапфира, выращенных методом горизонтальной направленной кристаллизации в качестве защитных экранов, способных противостоять ударной волне с высокой кинетической энергией.

Положения, выносимые на защиту:

  1. Результаты исследования влияния теплофизических процессов при получении монокристаллов лейкосапфиров методом ГНК.
  2. Результаты исследования влияния технологических факторов на механизм образования «пор» в монокристалле лейкосапфира.
  3. Механизм релаксации пузырей в монокристаллах лейкосапфира.
  4. Математическая модель теплофизических процессов, позволяющая определить факторы влияния на механизм роста бездефектного монокристалла лейкосапфира.
  5. Аппаратно – программный комплекс управления установкой для выращивания монокристаллов лейкосапфира методом ГНК.
  6. Конструкция датчика давления на основе структуры «кремний на сапфире» и результаты исследования возможности применения монокристаллов лейкосапфира, выращенных методом горизонтальной направленной кристаллизации в качестве защитных экранов, способных противостоять ударной волне с высокой кинетической энергией.

Реализация результатов диссертационной работы.

Диссертационная работа выполнялась на кафедре КЭС ТТИ ЮФУ и предприятии ООО «Завод Кристалл» г.Таганрог в рамках х/д работ 2004г.: «Исследование технологического процесса нанесения защитного покрытия методом активированного диффузионного насыщения в вакууме», 2005 – 2007 гг.: «Исследование технологии получения кристаллов лейкосапфира методом горизонтальной направленной кристаллизации на установках типа СЗВН – 155.320, СЗВН - 175».

Результаты диссертационной работы внедрены на промышленном предприятии: ООО «Завод Кристалл» (Россия, г. Таганрог), на предприятии ООО «Кристаллограф» (Россия, г. Таганрог), в НИИ Связи (Россия, г. Таганрог), а также, в Институте Монокристаллов Национальной Академии Наук Украины (Украина, г. Харьков) и на кафедрах КЭС ТТИ ЮФУ и ТМИНа ТТИ ЮФУ.

6

Апробация работы

Основные научные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на различных международных и всероссийских научных конференциях и семинарах, в частности: на 5-й Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии» (Россия, Кисловодск 2005 г.); 10-й международной научной конференции и молодежной школе – семинаре «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (Россия, Краснодарский край, п. Дивноморское, сентябрь 2006 г.); на 15 международной конференции в институте Кристаллографии РАН им. Шубникова (Россия, Москва, ноябрь 2006 г.); на 5 международной конференции в институте монокристаллов в Украине, (Украина, г. Харьков, сентябрь 2007 г.).

Публикации

По материалам диссертационной работы опубликовано 11 печатных работ, из них 8 статей и 4 работы в сборниках трудов конференций, в том числе 4 статьи в центральных технических журналах, входящих в перечень ВАК.

Материалы диссертации также использовали в отчете ООО «Завод Кристалл» г. Таганрог, Россия, по госконтракту «Развитие производства кристаллов диэлектриков и изделий из них» 2007г.

Структура и объем работы

Диссертация состоит из введения, шести глав, заключения и списка литературы и 2 приложений.

Содержание диссертации изложено на 169 страницах и включает 37 страниц с рисунками, 7 страниц с таблицами и список использованных источников, включающий 96 наименований. В приложениях содержатся описание программы управления технологическим процессом и акты внедрения результатов диссертационной работы.





КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность темы диссертации, приведены цель работы, основные задачи исследований, научная новизна и практическая значимость работы, приведены сведения об апробации работы и структуре диссертации.

В первой главе выполнен обзор литературных источников, проанализированы современные проблемы выращивания монокристаллов лейкосапфира, описаны дефекты структуры монокристалла, проанализировано влияние параметров роста на наличие дефектов в кристаллах лейкосапфира, дан анализ современного состояния проблемы программного управления в выращивания лейкосапфира в вакуумных печах.

Проведенное обобщение имеющихся к настоящему времени результатов позволяет сделать вывод о том, что в связи с предъявляемыми требованиями к

7

размерам и условиям эксплуатации, в настоящее время является перспективным использование изделий из монокристаллов лейкосапфира в качестве элементов электронной техники.

На основании сделанных выводов выбрано направление исследования и осуществлена постановка цели и задач диссертационного исследования.

Во второй главе исследованы и выбраны оптимальные методики используемые для исследования свойств монокристаллов лейкосапфира.

Для измерения углов разориентации боков и определения направления оси поворота использовался метод обратной рентгеновской съемки в расходящемся пучке. Преимущество обратной съемки заключается в возможности исключения специальной обработки кристаллов.

Для исследования дислокационного строения монокристаллов лейкосапфира в настоящей работе применялись методы: рентгенографический метод Ланга, съемка в расходящемся полихроматическом рентгеновском пучке (съемка РПП), метод избирательного травления поверхности.

Для определения внутренних напряжений, исследований блочного строения монокристалла лейкосапфира применялся поляризационно-оптический способ. Данный метод позволяет определить не только среднее значение напряжений в выращенном кристалле блоков, но и влияние механической обработки на остаточные напряжения.

В третей главе разработана математическая модель теплофизических процессов при получении монокристаллов лейкосапфира методом ГНК. Проведен анализ этих процессов с учетом сохранения плоского фронта кристаллизации и разветвления теплового потока на осевой и радиальный по мере увеличения длины кристалла. Определены оптимальные технологические режимы роста монокристалла.

При начале движения тигля со скоростью V0 на подложке инициируется процесс кристаллизации, а на передней границе ванны расплава происходит плавление новых порций материала шихты (рис. 1). В начале процесса скорость движения фронта кристаллизации «синхронизируется» (V = V0 = 8 мм/час) со скоростью протягивания тигля путем выбора соответствующих значений степени начального переохлаждения расплава и кинетического параметра K. На начальной стадии при малых значениях S (t0) переохлаждение выбирается равным TK = TL =10 K.

В соответствии с нормальным законом роста скорость фронта кристаллизации равна

(1)

Если переохлаждение ТL играет роль главной стимулирующей рост силы, то условие теплового баланса на поверхности кристаллизации

(2)

определяет динамику этого процесса (L – скрытая теплота фазового превращения; – плотность кристалла; s – коэффициент теплопроводности кристалла; D498,0 Дж/м2с·K – параметр теплопередачи расплав – кристалл, который вычисляется как

8

первый коэффициент в линейной аппроксимации теплового потока, излучаемого жидкой фазой; - градиент поля температуры в плоскости кристаллизации, обуславливающий скрытый отвод теплоты в твердую фазу.Предполагается, что в исходном состоянии шихта под нагревателем проплавлена на полную глубину и затравка находится в тепловом контакте с расплавом (рис. 1).

Процесс плавления разбивается на два этапа, а именно: начальную стадию, в течение которой материал шихты прогревается до точки плавления, и второй этап проплавления новой порции шихты.

Ширину зоны проплавления и время проплавления tm можно рассчитать по формулам

, (3)

Модель предполагает, что мощность F0 выбиралась таким образом, чтобы при фиксированной скорости сканирования полное проплавление материала шихты завершалось у задней кромки нагревателя. При F>F0 полное проплавление материала шихты завершается непосредственно под нагревателем. При F<F0 шихта остается непроплавленной. Время полного проплавления шихты.

Рис. 1 – Расчетная модель процесса: 1 – монокристалл – затравка

(подложка); 2 – закристаллизованный слой кристалла; 3 – расплав; 4 – нагреватель.

К этому времени скорость роста уменьшается до и степень переохлаждения становится величиной порядка, а ширина свободной области расплава перед фронтом кристаллизации достигает значения. Оценки выполнялись при фоновой температуре зоны контейнера с засыпкой 2162К, соответствующей мощности F0.

Аппроксимируя градиент температуры на поверхности роста как

(4)

и решая совместно уравнения (1) и (2), скорость роста на начальном этапе можно представить в виде функции толщины кристалла

(5)

здесь - параметр, учитывающий влияние всех факторов на теплофизические условия роста ( 0,014 м).

По мере увеличения толщины закристаллизованного слоя процесс роста существеннозамедляется, так как к моменту времени осевой поток тепла практически блокируется. Этот момент времени можно принять за

9

условную границу справедливости одномерной модели роста.

Анализ процесса на последующих этапах, можно провести, полагая, что, плоский фронт кристаллизации сохраняется, а тепловой поток по мере увеличения длины кристалла разветвляются на поток осевой и радиальный. При этом по мере увеличения боковой площади кристалла относительно площади торца, сброс Скрытой теплоты фазового превращения через боковую поверхность становится доминирующим. Аппроксимируя тепловой поток на поверхности роста как функцию конфигурационного фактора G

(6)

(где, TS – температура поверхности роста) как и ранее, скорость роста можно выразить в виде функции продольного размера кристалла

(7)

причем продолжительность процесса кристаллизации и полная длина кристалла взаимно определяются трансцендентным уравнением:

(8)

где - конфигурационный фактор;, n=d/d1, d – толщина и d1 – ширина кристалла.

Поперечное сечение кристалла d·d1 считается постоянным на всех этапах роста. Из полученных соотношений видно, что на начальной стадии (S 0,005м)

скорость роста максимальная и по мере увеличения длины кристалла быстро убывает. Когда длина кристалла начинает превосходить его толщину, скорость приближается к своему стационарному значению

(9)

и, в дальнейшем, держится постоянной (рис. 2).

Рис. 2 – Относительная скорость роста в зависимости от длины кристалла (1 – d = 0,025 м; 2 – d = 0,05 м; 3 – d = 0,075 м)

Таким образом, установлено, что скорость движения границы раздела фаз с увеличением толщины растущего кристалла уменьшается. Как результат, при постоянной скорости протягивания нагревателя VV0 между фронтом кристаллизации и нагревателем будет образовываться «зазор» области расплава, протяженность которой можно определить по формуле

(10)

10

Формула (10) справедлива к моменту времени tl0/V0, при котором в результате дальнейшего движения тигель выходит за пределы непосредственного теплового воздействия нагревателя, где l0=0,25м – продольный размер тигля.

Так как распределение температуры, скорость роста и гидродинамика жидкой фазы определяет практически все процессы, то при потере тепла свободной поверхностью расплава перед плоским фронтом кристаллизации в результате переохлаждения можно ожидать зарождения объемных центров кристаллизации.

Если считать, что температура переохлажденного слоя расплава у поверхности фронта фазового превращения Tl приближается к температуре роста кристалла, то при может выполняться первое условие независимого зарождения центров новой фазы (Rк<<bm, где - критический радиус центра кристаллизации). Здесь - поверхностная энергия границы раздела кристалл – расплав;G – модуль сдвига; b1 – вектор Бюргерса; – коэффициент Пуассона; Т0 – степень переохлаждения расплава.

При большой удельной энергии границы кристалл – расплав, характерной для прочных материалов, флуктуационное образование зародышей критических размеров может оказаться достаточно продолжительным. Оценивая время по длительности нестационарного периода образования центров кристаллизации, можно показать, что при данных условиях время нестационарности.

Если, определить величину параметра Грасгофа как функцию характерного размера свободной области расплава b

(11)

то, используя формулу (11), можно установить на каком этапе роста в расплаве развивается конвективный массоперенос (рис. 3).

Здесь средняя плотность жидкой фазы вычисляется по формуле при установившейся температуре поверхности роста и усредненной температуре расплава (где g – ускорение свободного падения; – перепад плотности в пределах свободной области расплава). Заметное конвективное движение в жидкости появляется на более ранних стадиях при росте толстых кристаллов. Например, при d = 0,075м параметр Грасгофа достигает значений, характерных для начала конвекции (рис. 3), когда длина кристалла приближается к величине Sk 0,07м, в то время как, при d = 0,025 м это условие выполняется существенно позже – Sk 0,15 м (Sk – длина кристалла, соответствующая моменту возникновения конвекции в расплаве).

Диапазон значений b, который соответствует началу конвекции, находится в пределах (0,052 – 0,057) м и, к моменту времени, приближается к своей предельной величине (0,064 – 0,114) м.

С течением времени, начиная с момента возникновения, максимальная скорость жидкости, которая развивается в конвективном потоке

(12)

изменяется в пределах (0,029 – 0,30) м/с при росте кристалла толщиной,075 м и (0,025 – 0,046) м/с при толщине 0,025 м. Причем, по мере протекания процесса, ближняя плоскость, соответствующая максимальной скорости жидкости, отстоит от

11

параллельной ей поверхности роста на расстоянии.

Рис. 3 – Параметр Грасгофа на различных этапах роста

( 1 – d = 0,025 м; 2 – d = 0,05 м; 3 – d = 0,075 м)

В четвертой главе приводятся результаты исследований влияния технологических факторов на механизм образования пор, устойчивость и динамика релаксации пузырей в расплаве, остаточная пузырчатость расплава и размещение пор в монокристалле лейкосапфира. Разработана и исследована технологическая методика, позволяющая производить рост бездефектных монокристаллов лейкосапфира.

Характерный радиус микропустот, определяющий степень пористости материала шихты равен

(13)

где d - характерный размер зерна.

Поверхность лейкосапфира хорошо смачивается собственным расплавом. В этом случае можно предположить, что во время плавления расплавленное вещество, стекая по твердой поверхности зерен и заполняя промежутки в точках их соприкосновения, будет капсулировать оставшиеся между зернами пустоты. При полном расплавлении шихты закапсулированные микропустоты могут образовывать изначальную пузырчатость расплава.

Под воздействием капиллярного давления пузыри начальных радиусов r0 являются существенно неустойчивыми и будут релаксировать до объема равновесного размера, при достижении которого давление парогазовой смеси и капиллярное давление уравниваются.

При этом равновесный радиус, который принимает пузырь в результате релаксации, равен

. (14)

Где - общее давление парогазовой смеси в поре, PS, PA – давление

12

компонент диссоциации и парциальное давление защитного газа в полости пузыря, L – поверхностное натяжение расплава.

Расчет времени подъема пузыря начального радиуса r0 на поверхность расплава показал, что является функцией давления защитного газа. При давлении PА=0,5 Па время всплытия пузыря составляет 3,12·10-4с. Равновесный радиус таких пузырей после релаксации находится в пределах (3-7)10-6м. Будучи захваченными объемом материала при кристаллизации, такие пузыри могут образовывать систему устойчивых дефектов в виде микропор и служить источниками возникновения пустот закритических размеров.

Процесс получения монокристаллов лейкосапфира методом ГНК можно разделить на два характерных периода: период S < Sk, в течение которого кристалл растет при диффузионном переносе вещества в жидкости, и, второй, на котором преобладает конвективное перемешивание расплава.

Если исходить из механизма стимулированного движения газовых пузырьков, захват которых поверхностью кристаллизации является причиной образования одного из характерных дефектов в структуре лейкосапфира, то можно предположить, что в течение первого периода движение газовых пузырьков инициируется градиентом поверхностного натяжения внутри пузыря при наличии градиента температуры в расплаве. Скорость и направление движения поры можно

оценить по формуле:

(15)

Из формулы (16) следует, что имеется критический размер поры, при котором изменяется механизм ее движения в расплаве. Фактором, стимулирующим движение больших пор r0>rкр является массоперенос вдоль поверхности поры, вызванный градиентом поверхностного натяжения. Мелкие поры r0<rкр, как более стабильные «догоняются» фронтом роста или переносятся потоком жидкости при наличии конвекции в расплаве. Укрупняясь, мелкие поры могут менять механизм и направление перемещения.

В области конвективного движения газовые пузыри будут выделяться непосредственно у поверхности роста в виде новой фазы, если условия перемешивания таковы, что толщина пограничного слоя * превышает величину

(16)

где Сf/C0=1,9 - степень пересыщения расплава, выше которого наблюдается зарождение газовых пузырей в Al2O3, в виде включений второй фазы. K0 - коэффициент сегрегации; Dd – коэффициент диффузии в расплаве. Для стационарных условий роста величина пограничного слоя находится в пределах 610-4 < * < 10-3 м. При найденных скоростях конвективного движения, концентрация газообразных компонент в пределах пограничного слоя <<*, не превосходит порог метастабильности, поэтому возможность образования устойчивых центров второй фазы в этом слое уменьшается ( –толщина пограничного слоя при наличии конвективных течений в расплаве).

Таким образом кристалл может расти свободным от посторонних частиц из чистого расплава, но будет дефектным, если в расплаве имеется даже очень малое количество примеси. Другими словами, даже примесь, сама по себе не вызывающая

13

дефектности, может испортить кристалл, облегчая захват газовых микрочастиц.

Перемешивание расплава снижает концентрацию примеси на фронте роста (при К<1), что ослабляет действие примеси и облегчает отталкивание частиц.

В пятой главе разработан и описан аппаратно-программный комплекс управления установки для выращивания монокристаллов лейкосапфира.

Для оптимизации автоматического управления ростом кристалла лейкосапфира с заданным качеством должна быть решена задача синтеза многоконтурной оптимальной системы, обеспечивающей оптимизацию критериев, например, минимизацию функционалов Ляпунова:

(17)

где; = x3 – x – отклонение системы от заданной траектории; Аi – весовые коэффициенты; k, - коэффициенты пропорциональности.

Объектом управления является электродвигатель постоянного тока, вал которого соединен посредством упругого звена с рабочим органом (например, двигатель перемещения лодочки в процессе выращивания кристаллов лейкосапфира).

В качестве исходной системы управления принимается традиционная многоконтурная система управления контурами: тока I двигателя, скоростью 1 двигателя, скоростью 2 рабочего органа, обеспечивающей поступательное движение лодочки, величиной угла поворота вала.

В соответствии с методологией синтеза систем оптимального управления задача синтеза оптимальной следящей системы решается как задача построения блока оптимального управления, входы которого соединены с датчиками тока I и скоростями 1 и 2, а выход соединен со входом контура управления скоростью 1.

Исследование отдельных контуров управления, содержащих нелинейные динамические регуляторы, подключенные параллельно линейным (рис. 4), показывает значительное повышение быстродействия.

Рис. 4 – Структурная схема оптимальной следящей системы.

14

Микропроцессорный блок управления технологическим процессом выращивания объемного лейкосапфира

В состав МПБУ входят: модуль центрального процессора, модуль процессора регулирования скорости, модуль предварительного усиления сигнала датчика тока, модуль двухпетлевого регулятора выходного напряжения, модуль связи с внешнего ПК, формирователь сигнала синхровизации от сети 220В, входные и выходные делители, источники питания +15В, -10В, +5В, +9В и прецизионный источник +5В. Дополнительно имеются датчики скорости, датчики для измерения положения лодочки.

МПБУ используется в составе с печью и персональным компьютером обычного класса для процессов выращивания кристаллических структур, отжига различных материалов и прочих тепловых процессов. При этом основными функциями являются прецизионная регулировка напряжения на нагревателе и скорость вращения коллекторного двигателя постоянного тока независимо друг от друга по заданным программам. Структурная схема МПБУ приведена на рис. 5.

Рис. 5 – Блок схема МБПУ

В шестой главе разработан и исследован датчик давления, включающий полупроводниковый чувствительный элемент, выполненный по планарной микроэлектронной технологии, который может быть применен для измерения

15

абсолютного, избыточного и разности давлений. Конструкция датчика представлена на рис. 6. Изобретение направлено на увеличение надежности конструкции при механических воздействиях, уменьшение дополнительной погрешности от монтажных и термомеханических напряжений и снижение трудоемкости при изготовлении датчика давления.

Разработанное устройство датчика давления позволяет работать с большим уровнем деформаций, чем в других интегральных полупроводниковых чувствительных элементах, а также обеспечивает работу в условиях высокой радиации.

Применение полупроводникового чувствительного элемента на основе структуры КНС позволяет избежать явления гистерезиса и усталостных явлений, так как в интегральных схемах на основе КНС отсутствет p-n – переход, в качестве упругого элемента используется сапфир, который прочнее и жестче кремния, это позволяет работать с большим уровнем деформаций, чем в других интегральных полупроводниковых чувствительных элементах; сапфир химически и радиационно стоек, поэтому интегральные схемы на основе КНС могут работать в условиях высокой радиации.

Использование алюмосиликатной керамики в качестве керамической чашки позволяет исключить влияние монтажных и термомеханических напряжений на полупроводниковый чувствительный элемент, а также уменьшить температурную зависимость начального выходного сигнала благодаря близости температурных коэффициентов расширения алюмосиликатной керамики и лейкосапфира в кристаллографической плоскости (0112).

Рис. 6. Разрез конструкции датчика давления. 1 - полупроводниковый чувствительный элемент на основе КНС, 2 – керамическая чашка с отверстием D, 3 – полость, 4 – корпус, 5 – крышка, 6 – гофрированная мембрана, 7 – металлизированные токоведущие дорожки,9 – паяное соединение, 11 – отверстие диаметром D, 12,13 – надмембранная и подмебранная полости, 14 – эластичный компаунд.

16

Было также проведено исследование возможности применения монокристаллов лейкосапфира, выращенных методом горизонтальной направленной кристаллизации в качестве защитных экранов, способных противостоять ударной волне с высокой кинетической энергией.

Известно, что на параметры монокристалла (прочность, обрабатываемость, твердость) влияет содержание дефектов в кристалле, таких как поры и включения, которые уменьшают плотность пластин, а следовательно и их прочность. Для повышения этих характеристик необходимо добиться минимального содержания структурных дефектов при выращивании и последующей обработке кристаллов.

В рамках диссертационной работы были выращены по отработанной технологии горизонтальной направленной кристаллизации монокристаллы лейкосапфира с ориентацией (1102). Для выращивания использовался высокочистый порошок Al2O3, с содержанием примесей 0,0001%, спеченный в брикеты по бестигельному методу. Параметры кристаллизации и содержание пор в полученных кристаллах приведены в таблице 1.

Таблица 1.Режимы получения монокристаллов с низким содержанием микрочастиц

Плоскость кристалл-лизации Вакуум Скорость кристалл-лизации Количество пор в кристалле Диаметр пор Давление газа в поре Содержание примесей в шихте
1102 2-610-3 Па 6-8 мм/ч 104 см-3 10-4-10-3см 700 дин/см 0,0001%

Параметры монокристаллов лейкосапфира до и после доработки технологии выращивания приведены в таблице 2.

Таблица 2.

Физико – химические свойства лейкосапфира

Параметры Значения (обычная технология) Значения (доработанная технология)
Молекулярный вес 101,96
Температура плавления 2050 єС
Удельная теплоемкость 0,181 – 0,187 кал/(градК)
Теплопроводность 0,01 кал/ссмград С
Удельный вес 3,98 г/см3 4,01 г/см3
Твердость по Кнуупу 2000 2100
Коэффициент преломления 1,753 1,760
Обрабатываемость Хорошо шлифуется, полируется механическим способом Требует применения хим. реагентов

Была исследована партия бездефектных монокристаллов лейкосапфира на проведение испытаний по противодействию ударной волне узкой

направленности, содержащая 10 кристаллов с характерными размерами 50х50 мм, 75 х 75 мм, 100 х 100 мм. Толщина подложки (высокомодульный полиэтилен)

17

изменялась в зависимости от толщины образца с целью компенсации недостатка толщины монокристалла лейкосапфира более дешевой подложкой. Результаты испытаний приведены в таблице 3.

В результате проведенных исследований была разработана технология выращивания монокристаллов лейкосапфира с содержанием пор не превышающим 104 см-3. Исследования, проведенные в ОАО «Кираса» г. Пермь показали, что лейкосапфир (плоскость роста 1102), выращенный методом ГНК обладает высокой прочностью и имеет возможность дальнейшего применения в различных областях, связанных с оптическим наблюдением в условиях воздействия направленных ударных волн со скоростями до 830,0 м/с.

Таблица 3.

Результаты испытаний

Опыт №1 Опыт №2 Опыт №3 Опыт №4 Опыт №5
Толщина образца 5 мм 6,5 мм 7,6 мм 8,5 мм 10 мм
Поверхностная плотность кристалла 320 г/дм2 320 г/дм2 320 г/дм2 320 г/дм2 320 г/дм2
Толщина подложки (высокомодульный полиэтилен) 7 мм 5 мм 3 мм 2 мм 1 мм
Кинетическая энергия m=64г V=827 м/с m=64г V=827 м/с m=64г V=827 м/с m=64г V=827 м/с m=64г V=827 м/с
Расстояние до образца 5 м 5 м 5 м 5 м 5 м
Результат Отрицатель-ный Отрицатель-ный Положитель-ный Положи-тельный Положи-тельный

В заключении сформированы основные результаты работы:

  1. Разработана модель, позволяющая описывать получение монокристаллов лейкосапфира AL2O3, методом ГНК на всех этапах роста.
  2. Предложена методика расчета эффективной плотности шихты и методом непосредственного взвешивания определена реальная плотность раздробленного материала в контейнере, которая дает удовлетворительное согласие с численными оценками.
  3. Определен начальный радиус r0 микропор в зависимости от реальной фрактальности раздробленного материала шихты.
  4. Сформирована модель на базе которой показано, что микропузырь в расплаве исходного радиуса г0 является существенно неустойчивым и под действием капиллярного давления быстро релаксирует к своему равновесному размеру. Определена скорость и время релаксации пузыря.
  5. Разработан аппаратно – программный комплекс управления установкой для выращивания монокристаллов лейкосапфира методом ГНК, в котором расчеты проводятся постоянно в течении всего процесса в автоматическом режиме вычислительной системой, допуская оперативное вмешательство технолога техпроцесса или оператора печи.

18

  1. Разработано устройство датчика давления, которое позволяет работать с большим уровнем деформаций, чем в существующих интегральных полупроводниковых чувствительных элементах, и обеспечивает работу в условиях высокой радиации.
  2. Отработана технология получения монокристаллов лейкосапфира с содержанием пор 104 см-3 диаметром 10-4 - 10-3см (плоскость роста 1102), используемая в областях, связанных с оптическим наблюдением в условиях воздействия направленных ударных волн со скоростями до 830,0 м/с.

В приложении приведены: описание программы управления технологическим процессом, акты внедрения и использования результатов диссертационной работы.

ПУБЛИКАЦИИ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИОННОЙ РАБОТЫ

Публикации в изданиях ВАК:

  1. С.П. Малюков, В.А, Стефанович, Д.И. Чередниченко. Исследование модели самосогласованного роста монокристаллов методом горизонтальной направленной кристаллизации. // Известия ВУЗов. Электроника. – 2007. №2. – С.3 – 9.
  2. С.П. Малюков, В.А, Стефанович, Д.И. Чередниченко. Релаксация пузырей в расплаве лейкосапфира при получении кристаллов методом горизонтальной направленной кристаллизации. // Кристаллография. – 2007. Т.52. №6. – С.1137 – 1140.
  3. Г.А.Лебедев, С.П. Малюков, В.А. Стефанович, Д.И. Чередниченко Теплофизические процессы при получении кристаллов лейкосапфира методом горизонтальной направленной кристаллизации. //Кристаллография – 2008. Т. 53. №2 – С.356 – 360.
  4. S.P. Malyukov, B.A. Stefanovich, and D.I. Cherednichenko. Study of Model of Self-Coordinated Growth of Single Cristals of Sapphire by Horizontal Directed Crystallization. // Semiconductors. – 2008 – Vol. 42. No. 13. – Р.1508-1511. ISSN 1063-7826.

Статьи и материалы конференций:

  1. Малюков С.П., Стефанович В.А. Организация локальной сети для печей выращивания монокристаллов лейкосапфира. // Известия ТРТУ. – 2005. №3. – С.80 – 81.
  2. Малюков С.П., Стефанович В.А., Лебедев Г.А. Метод оптимизации управления технологическим процессом выращивания кристаллов лейкосапфира. // Известия ТРТУ. – 2006. №8. – С. 210 – 214.
  3. Малюков С.П., Клопченко В.С., Стефанович В.А. Расчет напряжений в спаях стекла со стеклом. // Труды девятой международной научно-технической конференции «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники». – Таганрог, ТРТУ – 2004. – С. 171-174.
  4. Малюков С.П., Чередниченко Д.И., Стефанович В.А. Лебедев Г.А.Влияние степени переохлаждения на процессы в кристалле и условия самосогласованного роста. // V международная научная конференция «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии». 18-23 сентября 2005г. – г. Кисловодск, Россия. – С.310-311.

19

  1. Малюков С.П., Стефанович В.А. Лебедев Г.А. Структура системы для статистического контроля многопараметрического технологического процесса. // Труды международной научно-технической конференции. AIS'06 CAD-2006. – Москва. – С. 423-424.
  2. Малюков С.П., Стефанович В.А. Лебедев Г.А. Разработка модели влияния параметров технологического процесса выращивания монокристаллов лейкосапфира на качество кристалла. // Труды международной научно-технической конференции. AIS'06 CAD-2006. – Москва. – С. 411-416.
  3. Малюков С.П., Стефанович В.А. Чередниченко Д.И. Рассогласование скорости фронта кристаллизации и нагревателя как фактор, определяющий качество кристаллов лейкосапфира при получении методом ГНК. // Труды десятой международной научно-технической конференции и школы-семинара «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» ПЭМ'06. Часть 1. – Дивноморское, 2006. – С. 33-34.

Личный вклад в работах, опубликованных в соавторстве:

в [1-4] – сформированы результаты теоретического анализа;

в [5-10,12] – выполнены экспериментальные исследования;

в [11] – проведен эксперимент.

ЛР 02205665 от 23.06.1997 г.

Формат 60 х 841/16. Подписано к печати

Печать офсетная. Бумага офсетная.

Усл. п. л. – 6,25 Уч.- изд. л. – 6,0

Заказ № Тираж 100 экз.

©

Издательство Технологического института Южного федерального университета в г. Таганроге

ГСП 17А, Таганрог, 28, Некрасовский, 44

Типография Технологического института Южного федерального университета в г. Таганроге

ГСП 17А, Таганрог, 28, Энгельса, 1



 


Похожие работы:

«Рябухин Павел Борисович Оптимизация параметров технологических процессов лесопромышленного комплекса Дальнего Востока на принципах устойчивого лесопользования 05.21.01 – Технология и машины лесозаготовок и лесного хозяйства АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук Братск - 2008 Работа выполнена на кафедре технологии и оборудования лесопромышленного производства Тихоокеанского государственного университета (г. Хабаровск) Научный консультант:...»

«ГАЙСИНА АЙГУЛЬ РАЛИФОВНА РАЗРАБОТКА МЕТОДОВ ОЦЕНКИ ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИХ СВОЙСТВ НЕФТЯНЫХ УГЛЕВОДОРОДНЫХ СИСТЕМ Специальность 05.17.07 – Химия и технология топлив и специальных продуктов АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Уфа - 2009 Работа выполнена на кафедре Технология нефти и газа Уфимского государственного нефтяного технического университета. Научный руководитель доктор технических наук, профессор Ахметов Сафа Ахметович....»

«Лысенко Александр Александрович ОСНОВЫ РЕСУРСОСБЕРЕГАЮЩИХ ТЕХНОЛОГИЙ ПОЛУЧЕНИЯ АКТИВИРОВАННЫХ УГЛЕРОДНЫХ ВОЛОКОН, ИХ СВОЙСТВА И ПРИМЕНЕНИЕ Специальность: 05.17.06 – Технология и переработка полимеров и композитов АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук Санкт-Петербург 2007 Работа выполнена на кафедре Технологии химических волокон и композиционных материалов им. А.И. Меоса ГОУ ВПО Санкт-Петербургского государственного университета...»

«БОЕВ ЕВГЕНИЙ ВЛАДИМИРОВИЧ СОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ КОНСТРУКЦИЙ ТЕПЛОМАССООБМЕННЫХ НАСАДОК ИЗ ПОЛИМЕРНЫХ МАТЕРИАЛОВ Специальность 05.17.08 – Процессы и аппараты химических технологий АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Уфа - 2008 Работа выполнена на кафедре Оборудование нефтехимических заводов филиала Уфимского государственного нефтяного технического университета в г. Стерлитамаке. Научный руководитель кандидат технических наук, доцент...»

«Тыртыгин Вячеслав Николаевич ПОВЫШЕНИЕ ЭФФЕКТИВНОСТИ ПРОЦЕССА ОЧИСТКИ ПРОМЫШЛЕННОГО СЫРЬЯ ОТ ПАРАМАГНИТНЫХ ПРИМЕСЕЙ МАГНИТНЫМ МЕТОДОМ 05.17.08 Процессы и аппараты химических технологий АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Иваново 2010 Работа выполнена в Государственном образовательном учреждении высшего профессионального образования Поволжский государственный университет сервиса Научный руководитель: доктор технических наук Иванов...»

«МАГДИЕВ Евгений Валерьевич МОДЕЛИРОВАНИЕ И ОПТИМИЗАЦИЯ ПРОЦЕССОВ В ТЕРМИЧЕСКИХ ДЕАЭРАТОРАХ Специальность: 05.17.08 – Процессы и аппараты химических технологий Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Иваново 2009 Работа выполнена на кафедре прикладной математики государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования Ивановский государственный энергетический университет имени В.И. Ленина Н а у ч н ы й р у к о в...»

«ЯКОВЛЕВ алексей аНАТОЛЬЕВИЧ КАТАЛИТИЧЕСКИЙ РИФОРМИНГ ЛЁГКИХ БЕНЗИНОВЫХ ФРАКЦИЙ НА АЛЮМОХРОМОВЫХ КАТАЛИЗАТОРАХ Специальность 05.17.07 – Химия и технология топлив и специальных продуктов АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Уфа - 2009 Работа выполнена на кафедре Технология нефти и газа Уфимского государственного нефтяного технического университета. Научный руководитель доктор технических наук, профессор Ахметов Арслан Фаритович....»

«ЛАВРИЩЕВ СЕРГЕЙ АНДРЕЕВИЧ Повышение надежности технического состояния парка подвижного состава специализирующегося на перевозке лесных грузов Специальность 05.21.01 – Технология и машины лесозаготовок и лесного хозяйства Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Екатеринбург – 2012 Диссертационная работа выполнена на кафедре экономики транспорта и логистики Федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего...»

«Батищев Егор Тихонович СОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ ТРАНСПОРТНОГО ОСВОЕНИЯ ЛЕСОСЫРЬЕВЫХ БАЗ С УЧЁТОМ ТЕХНОГЕННОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ 05.21.01 – Технология и машины лесозаготовок и лесного хозяйства Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Воронеж – 2011 Работа выполнена в Федеральном государственном бюджетном образовательном учреждении высшего профессионального образования Воронежская государственная лесотехническая академия (ФГБОУ ВПО ВГЛТА) Научный...»

«ШИРКУНОВ АНТОН СЕРГЕЕВИЧ ПОЛУЧЕНИЕ НЕФТЯНЫХ И ПОЛИМЕРМОДИФИЦИРОВАННЫХ ДОРОЖНЫХ БИТУМОВ УЛУЧШЕННОГО КАЧЕСТВА КОМПАУНДИРОВАНИЕМ ОКИСЛЕННЫХ И ОСТАТОЧНЫХ НЕФТЕПРОДУКТОВ В ООО ЛУКОЙЛ-ПЕРМНЕФТЕОРГСИНТЕЗ Специальность 05.17.07 – Химическая технология топлива и высокоэнергетических веществ АВТОРЕФЕРАТ на соискание учёной степени кандидата технических наук Уфа – 2011 Работа выполнена на кафедре химической технологии топлива и углеродных материалов Пермского национального...»

«Прокофьева Елена Васильевна ОДНОСЛОЙНЫЕ УГЛЕРОДНЫЕ НАНОТРУБКИ И НЕКОТОРЫЕ КОМПОЗИТЫ НА ИХ ОСНОВЕ: СТРОЕНИЕ И ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника на квантовых эффектах А В Т О Р Е Ф Е Р А Т диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Саратов – 2010 Работа выполнена в Государственном образовательном учреждении высшего профессионального образования Волгоградский...»

«УГРЮМОВ Сергей Алексеевич СОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ ПРОИЗВОДСТВА КОМПОЗИЦИОННЫХ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ ДРЕВЕСНЫХ НАПОЛНИТЕЛЕЙ И КОСТРЫ ЛЬНА 05.21.05 – Древесиноведение, технология и оборудование деревообработки АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук Москва 2009 Работа выполнена в ГОУ ВПО Костромской государственный технологический университет Официальные оппоненты: доктор технических наук, профессор Кириллов Алексей Николаевич доктор...»

«Тарасова Людмила Александровна ПОВЫШЕНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ АППАРАТОВ ВИХРЕВОГО ТИПА В СИСТЕМАХ ГАЗООЧИСТКИ 05.17.08 процессы и аппараты химических технологий АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук Москва 2010 Работа выполнена в ГОУ ВПО Московском государственном университете инженерной экологии (МГУИЭ) Научный консультант: доктор технических наук, профессор Трошкин Олег Александрович Официальные оппоненты:...»

«Куриганова Александра Борисовна ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЕ ПОЛУЧЕНИЕ НАНОРАЗМЕРНЫХ Pt/C КАТАЛИЗАТОРОВ ДЛЯ ТВЕРДОПОЛИМЕРНЫХ ТОПЛИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ 05.17.03 – Технология электрохимических процессов и защита от коррозии Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук г. Новочеркасск – 2011 Работа выполнена в федеральном государственном бюджетном образовательном учреждении высшего профессионального образования Южно-Российский государственный технический...»

«ПЕТРАКОВ ВАЛЕРИЙ СЕРГЕЕВИЧ Термомеханическая обработка материалов проходной оптики лазеров среднего ИК - диапазона Специальность 05.27.06 – технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Москва 2007 Работа выполнена на кафедре физики кристаллов Московского государственного института стали и сплавов (технологического университета). Научный...»

«ГЕРТ Наталия Валерьевна АТМОСФЕРОСТОЙКАЯ СИСТЕМА ПОКРЫТИЙ НА ПОЛИМЕРНОЙ ОСНОВЕ С ВЫСОКИМ СРОКОМ СЛУЖБЫ 05.17.06 – Технология и переработка полимеров и композитов АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Иваново 2012 Работа выполнена на кафедре технологии переработки пластических масс Федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего профессионального образования Уральский государственный лесотехнический...»

«Крутолапов Александр Сергеевич модели и методы АНАЛИЗА процессов информационного обмена в автоматизированных систем ах диспетчерского управления МЧС Ро с сии 05.25.05 – информационные системы и процессы Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук Санкт-Петербург – 2013 Работа выполнена в ФГБОУ ВПО Санкт-Петербургский университет Государственной противопожарной службы МЧС России. Научный...»

«Бородина Светлана Дамировна ЦЕННОСТНО-КОММУНИКАЦИОННАЯ СУЩНОСТЬ ПРОФЕССИОНАЛЬНОЙ СУБКУЛЬТУРЫ СПЕЦИАЛИСТОВ БИБЛИОТЕЧНОГО СОЦИАЛЬНОГО ИНСТИТУТА 05.25.03- библиотековедение, библиографоведение и книговедение Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора педагогических наук Казань-2013 Диссертационная работа выполнена на кафедре библиотековедения, библиографоведения и книговедения ФГБОУ ВПО Казанский государственный университет культуры и искусств Научный...»

«МИЛЕШКО Леонид Петрович РАЗРАБОТКА И ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ОСНОВ ФОРМИРОВАНИЯ ЛЕГИРОВАННЫХ АНОДНЫХ ПЛЕНОК ДИОКСИДА КРЕМНИЯ Специальность: 05.27.01 – твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук Таганрог – 2010 Работа выполнена в Технологическом институте Южного федерального университета в г. Таганроге на кафедре химии и...»

«УДК 621.355.8.001.891.573 Галушкина Наталья Николаевна ТЕПЛОВОЙ РАЗГОН В ЩЕЛОЧНЫХ АККУМУЛЯТОРАХ: ЗАКОНОМЕРНОСТИ И ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ РЕКОМЕНДАЦИИ 05.17.03 – Технология электрохимических процессов и защита от коррозии А в т о р е ф е р а т диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Новочеркасск - 2006 Работа выполнена в Южно-Российском государственном техническом университете (Новочеркасском политехническом институте) на кафедре Технология...»






 
2014 www.avtoreferat.seluk.ru - «Бесплатная электронная библиотека - Авторефераты диссертаций»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.